Os engenheiros do MIT criam transistores 3D com metade da largura dos menores transistores disponíveis atualmente

O MIT anunciou um avanço de engenharia que resultou nos menores transistores 3D já criados. Esses novos transistores do MIT têm metade da largura dos modelos comerciais mais finos disponíveis atualmente. O MIT trabalhou com a Universidade do Colorado nesse novo transistor.

Para criar o minúsculo transistor, os cientistas tiveram que criar uma nova técnica de microfabricação para modificar o material semicondutor átomo por átomo. A equipe diz que a inspiração para o trabalho deles foi o desejo de acompanhar a Lei de Moore, que foi uma observação feita nos anos 60 de que o número de transistores em um circuito integrado dobra a cada dois anos.

Os fabricantes de chips têm tido dificuldades em manter a Lei de Moore nos últimos tempos, já que está ficando mais desafiador manter a duplicação do número de transistores usando a tecnologia atual. Os transistores 3D estão na vertical como as nadadeiras e têm cerca de 7 nm de diâmetro. Isso é dezenas de milhares de vezes mais finos do que um cabelo humano.

Esses novos transistores são tão pequenos que dezenas de bilhões deles podem caber em um único microchip do tamanho de uma unha. A criação dos novos transistores foi permitida usando uma técnica de gravação química recém-inventada, chamada de ataque térmico em nível atômico ou ALE térmico. O método pode modificar precisamente materiais semicondutores em nível atômico. Essa técnica tem sido usada para criar transistores tão estreitos quanto 2,5 nanômetros, que também são mais eficientes do que as opções disponíveis atualmente no mercado. Pesquisadores afirmam que, embora existam métodos similares de gravação a nível atômico, a nova técnica é mais precisa e produz transistores de maior qualidade. A nova tecnologia também usa uma ferramenta de microfabricação comum usada para depositar camadas atômicas em materiais, permitindo que ela seja rapidamente integrada às linhas de montagem.

Via: Slash Gear