O chip Samsung 1TB UFS praticamente confirma o boato do Galaxy S10 +

Ao contrário da LG, a Samsung não costuma deixar dicas ou pré-anunciar produtos e recursos. O que ela faz, no entanto, é anunciar os componentes que geralmente acabam no próximo telefone principal. Neste caso, o fabricante coreano está anunciando a produção em massa do chip Universal Flash Storage incorporado ou eUFS com uma capacidade de atingir 1 terabyte. E enquanto isso já pode ser uma conquista importante em si, é ainda mais interessante por causa dos rumores sobre o futuro Galaxy S10 +.

Os smartphones realmente percorreram um longo caminho, oferecendo apenas uma média de 16 a 32 GB de armazenamento eMMC para, agora, 1 TB. Especialmente um que é um tipo de armazenamento flash mais rápido do eUFS. Embora não seja exatamente inesperado, já que atualmente temos 512 GB de telefones, foi uma questão de quem chegará primeiro e como.

O negócio de semicondutores da Samsung, um dos mais lucrativos, vem sendo usado com empilhamento de memória flash V-NAND para ainda mais capacidade. Neste caso, a Samsung empilhou 16 camadas de memória flash V-NAND de 512 Gigabit (Gb). Com 1 TB de armazenamento, você está recebendo vinte vezes mais do que a média de 64 GB na maioria dos smartphones premium. Neste ponto, você pode nem precisar de um cartão microSD.

E também não é apenas o armazenamento. O novo eUFS de 1 TB da Samsung também é o mais rápido, com uma velocidade de leitura sequencial de 1000 MB / s e uma velocidade de gravação sequencial de 260 MB / s. A Samsung diz que é o dobro da velocidade de um típico SSD SATA de 2,5 polegadas. Em termos práticos, isso iria de mãos dadas com um sensor de câmera que pode gravar vídeo a 960 fps.

Embora a Samsung não esteja dizendo isso diretamente, é claro, isso alimenta os rumores de uma versão premium do vídeo. Galaxy S10 +. Esse modelo terá 12 GB de RAM e 1 TB de armazenamento. Como a Samsung já é capaz de fabricar o primeiro, este anúncio prova que também é capaz do segundo.

Via: Slash Gear